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Mosfet Driver lato alto con protezione del carico

Il MOSFET DRIVER HIGH-SIDE LM5060Q è stato sviluppato per consentire la realizzazione di un controllo intelligente sui collegamenti degli alimentatori durante le normali transizioni on/off e nelle condizioni di errore. Contiene due ingressi di abilitazione che permettono di effettuare un controllo di sicurezza ridondante ed è caratterizzato da un bassissimo valore di IQ per prolungare la durata delle batterie e migliorare la robustezza del sistema. Grazie all’ampio range di tensione d’ingresso i carichi sono protetti contro eventuali transitori anche di notevole ampiezza. Contribuiscono ad aumentare l’affidabilità del sistema anche la protezione contro le sovratensioni e la funzione di Power GOOD con ritardo.

Caratteristiche:

  • Qualificato per Automotive grado AEC Q-100
  • Ampio range operativo della tensione d’ingresso (+5,5 V ÷ +65 V)
  • Corrente di riposo < 15 µA in modalità disabled
  • Controllo sul tempo di salita dell’uscita per un più sicuro collegamento dei carichi capacitivi
  • Gate driver a pompa di carica per i MOSFET a canale N esterni
  • UVLO regolabile con isteresi per impiego come secondo ingresso di abilitazione nei sistemi che richiedono un controllo di sicurezza ridondante
  • Riconoscimento di errore con tempo di ritardo programmabile
  • Segnalazione di un’eventuale condizione di latch-off del MOSFET dopo un errore sul carico
  • Uscita di Power GOOD attiva bassa in configurazione open-drain
  • Ingresso OVP regolabile
  • Disponibilità di un’Evaluation Board dedicata

Applicazioni:

  • Circuiti di controllo per sistemi industriali ad alimentazione distribuita

Ultimo aggiornamento - Febbraio 2010

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