È stata recentemente introdotta da International Rectifier una nuova famiglia di MOSFET di potenza trench HEXFET® a canale N da 25 e 30 V, basati sulla collaudata tecnologia che IR ha sviluppato per ridurre la RDS_(on) e migliorare le prestazioni di commutazione. Le basse perdite di conduzione di questi dispositivi consentono di migliorare l’efficienza a pieno carico e le caratteristiche termiche, mentre le loro basse perdite di commutazione consentono di avere un’efficienza elevata anche in condizioni di basso carico.

I nuovi HEXFET sono offerti in diversi package, fra cui il PQFN di mm 5 x 6 o 3 x 3, che consente di avere una densità di potenza maggiore dell’SO-8, pur mantenendo la stessa pin-configuration. La nuova famiglia comprende 21 dispositivi a canale singolo e due a doppio canale, tutti conformi alla Direttiva RoHS e offerti privi di alogeni.