I progettisti di applicazioni di gate drive per automotive potranno utilizzare da oggi l’AUIRS2016S, un driver per il lato alto dei MOSFET di potenza, introdotto da International Rectifier.

Un’importante caratteristica di questo dispositivo è la presenza di un NMOS interno per la ricarica di Vs verso massa. Il driver d’uscita comprende un buffer che garantisce una corrente impulsiva di 250 mA. Questo canale può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di Potenza a canale N sul lato alto, con una tensione operativa fino a 150 V. L’AUIRS2016S garantisce inoltre l’immunità ai transitori di tensione negativa (-Vs), necessaria per proteggerlo contro eventi catastrofici durante la commutazione di correnti elevate o in condizioni di corto circuito.

Il nuovo dispositivo utilizza un avanzato processo ad alta tensione di IR, in cui le innovative tecnologie di level-shifting e di terminazione consentono di raggiungere superiori caratteristiche in termini di protezione alle sollecitazioni elettriche e di affidabilità in esercizio.