L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da 1.200 V AUIRG7CH80K6B-M, recentemente introdotto da International Rectifier, è dedicato alle applicazioni automotive e dispone dell’SFM (Solderable Front Metal) per i moduli inverter ad alta corrente e alta tensione, oltre ai drive di media potenza. La funzione SFM consente di effettuare il raffreddamento su due lati, migliorando notevolmente le prestazioni termiche, e di eliminare i collegamenti a filo che rappresentano una potenziale sorgente di guasti nei moduli inverter. Viene garantito in tal modo un superiore livello di affidabilità.

Il nuovo IGBT utilizza l’ultima generazione della tecnologia Field Stop Trench di IR per ridurre significativamente le perdite di conduzione e di commutazione.

Il dispositivo è qualificato conformemente agli standard automotive e viene offerto solo in forma di die.