È stata recentemente introdotta da International Rectifier una nuova famiglia di MOSFET di potenza trench HEXFET® a canale N da 25 e 30 V, basati sulla collaudata tecnologia che IR ha sviluppato per ridurre la RDS(on) e...

I progettisti di applicazioni di gate drive per automotive potranno utilizzare da oggi l’AUIRS2016S, un driver per il lato alto dei MOSFET di potenza, introdotto da International Rectifier. Un’importante caratteristica di questo...

L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da 1.200 V AUIRG7CH80K6B-M, recentemente introdotto da International Rectifier, è dedicato alle applicazioni automotive e dispone dell’SFM (Solderable Front Metal) per i moduli inverter...

L’IPS (Intelligent Power Switch) low-side a singolo canale AUIPS2051L di International Rectifier, leader mondiale nelle tecnologie di Power Management, e la sua versione duale AUIPS2052G dispongono di un insieme completo di...