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Ecco SupreMOS, il primo MOSFET in tecnologia Super-Junction

I progettisti di alimentatori, sistemi di illuminazione, display e applicazioni industriali che desiderano soddisfare le specifiche ENERGY STAR 80 PLUS Gold per i PC desktop e la classificazione Platinum per i server potranno da oggi utilizzare il dispositivo di nuova generazione SupreMOS, il primo MOSFET a Super-Junction da 600 V introdotto da Fairchild Semiconductor. La combinazione di una RDS(ON) contenuta e un basso valore della carica di gate complessiva si traduce in una cifra di merito (FOM) inferiore del 40% rispetto al MOSFET Fairchild SuperFET da 600 V.

Rispetto ai SuperFET i MOSFET a Super-Junction da 600 V presentano una carica di gate inferiore, a parità di RDS(ON), con una velocità di commutazione superiore e perdite di commutazione e conduzione inferiori del 20%, che si traducono in una maggiore efficienza. Inoltre offrono valori inferiori di capacità di ingresso e uscita, che consentono di avere una maggiore efficienza in condizioni di basso carico.

I nuovi SupreMOS estendono il portafoglio MOSFET di Fairchild, che copre un'ampia gamma di valori di tensione (da -500 V a 1.000 V) e combina una tecnologia di packaging allo stato dell'arte con un elevato livello di FOM, assicurando in ogni condizione l’efficienza di alimentazione richiesta. Tutti i dispositivi sono già disponibili in campionatura, la consegna è prevista in 9 - 11 settimane dall'ordine.

Ulteriori informazioni su questi prodotti sono reperibili all'indirizzo:

http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/

Caratteristiche:

  • Impedenza
    • 165 m ohm (valore massimo) per i modelli FCP22N60N, FCPF22N60NT e FCA22N60N
    • 199 m ohm (valore massimo) per i modelli FCP16N60N, FCPF16N60NT e FCA16N60N
  • Eccellenti caratteristiche di recupero inverso del diodo e di dV/dt

Applicazioni:

  • Progetti di alimentatori switching
    • configurazioni ‘resonant converter’
    • LLC
    • phase-shifted full-bridge

Ultimo aggiornamento - Novembre 2009

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